也称为绝缘栅双极晶体管
2018-07-04 17:17
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igbt(insulated gate bipolar transistor),也称为绝缘栅双极晶体管,是 一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有 mosfet 的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性 及 易 实现 较 大 电流 的 能 力,既 具 有输 入 阻 抗高 、工 作速 度 快 、热 稳定性好 和 驱 动 电 路 简 单 的 优 点 ,又 具 有 通 态 电 压 低 、耐 压 高 和 承 受 电 流 大 的 优 点 ,这使得 igbt 成 为 近 年 来 电 力 电 子 领 域 中 尤 为 瞩 目 的 电 力 电 子 驱 动 器 件 ,并且得到越来越广泛的应用。

本文主要介绍了 igbt 的结构特性、工作原理和驱动电路,同时简要概括了 igbt 模块的选择方法和保护措施等,最后对 igbt 的实际典型应用进行了分析介绍,通过对 igbt 的学习,来探讨 igbt在当代电力电子领域的广泛应用和发展前景。

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